Ordu.az xəbər verir ki, gələcəyin radar və rabitə sistemlərinə həyat verəcək bu texnologiya mövcud həllərin performans hədlərini iki dəfə artırır.
Müdafiə texnologiyalarındakı sürətli dəyişiklik və artan yüksək güclü təhdidlər elektron sistemlərin dayanıqlığını getdikcə daha çox sınağa çəkir. “Northrop Grumman” Mikroelektronika Mərkəzi (NGMC) çərçivəsində aparılan qabaqcıl tədqiqatlar dünyanın ən sərt materialı olan almazı mikroçip istehsalının mərkəzinə yerləşdirir. Laboratoriya şəraitində həyata keçirilən son sınaqlarda almaz əsaslı qəbuledici qoruma komponentləri 100 vattdan artıq güc yüklərini uğurla idarə edərək özünü doğruldub.
Kritik sistemlərdə fasiləsiz performans və üstün istilik idarəetməsi
Qum dənəsindən belə kiçik olan bu xüsusi istehsal kristallar mühəndislər üçün unikal elektron qoruma qalxanı yaradır. İstiliyi misdən beş dəfə daha sürətlə ötürə bilən almaz quruluşu mikroçiplərin həddindən artıq qızma səbəbindən sıradan çıxmasının qarşısını alır və ən çətin döyüş şəraitində belə siqnal yolunu açıq saxlayır. Bu xüsusiyyət radar və peyk sistemləri kimi yüksək enerji sıxlığı ilə işləyən platformalarda dayanıqlı təhlükəsizlik klapanı rolunu oynayır.
Göydən kosmosun dərinliklərinə uzanan dayanıqlılıq
“Northrop Grumman” sistem mühəndisi doktor Uqonna Ohiri qeyd edir ki, almaz təkcə yerüstü hərbi tapşırıqlarda deyil, həm də kosmik platformalar və hipersəs aparatlarında oyun qaydalarını dəyişən amildir. Onun sözlərinə görə, materialın yüksək istilik keçiriciliyi və daşıyıcı hərəkətliliyi yüksək sürətli məlumat ötürülməsini dəstəkləyir və ən ekstremal şəraitdə belə sistem bütövlüyünü qoruyur.
Gələcəyin kompakt və güclü müdafiə sistemləri
2019-cu ildə elmi-tədqiqat ideyası kimi başlayan bu layihə Arizona Dövlət Universiteti ilə qurulan strateji əməkdaşlıq sayəsində mərhələli şəkildə kütləvi istehsala yaxınlaşır. Cəmi 1 mm x 1 mm ölçüsündə olan almaz yarımkeçirici lövhələr daha yüngül, daha az enerji sərf edən, lakin daha yüksək performans göstərən radar, peyk və kvant aşkarlama sistemlərinin inkişafına imkan yaradır. Qallium nitrid (GaN) texnologiyasının növbəti mərhələsi hesab olunan almaz yarımkeçiricilərin yaxın gələcəkdə müdafiə elektronikasında yeni qlobal standart olması gözlənilir.
Sevinc Əliyeva
Ordu.az
